УЗНАЙ ЦЕНУ

(pdf, doc, docx, rtf, zip, rar, bmp, jpeg) не более 4-х файлов (макс. размер 15 Мб)


↑ вверх
Тема/ВариантМоделирование роста кристалла арсенида галлия
ПредметПрограммирование
Тип работыдиплом
Объем работы100
Дата поступления12.12.2012
2900 ₽

Содержание

Спецчасть 1.1. Введение 2-2 1.2. Постановка задачи 2-3 2. Описание программы 2.1. Общие сведения 2.1.1. Выбор языка программирования 2-4 2.1.2. Необходимое программное обеспечение 2-4 2.2. Функциональное предназначение 2-5 2.3. Описание логической структуры 2.3.1. Общая постановка задачи 2-5 2.3.2. Метод расщепления 2-7 2.3.3. Организация счета на центральном этапе расщепления 2-10 2.3.4. Метод встречной прогонки 2-16 2.3.5 Общая структура программы и ее частей 2-18 2.4. Используемые технические средства 2-25 2.5. Входные и выходные данные 2-25 2.6. Контроль сходимости итерационного процесса 2-26 2.7. Методика тестирования программы 2-26 Международный тест в квадратной области 2-29 2.8. Заключение 2-42 3. Технологическая часть 3.1. Отладка и общие принципы тестирования программ 3-1 3.2. Тестирование модулей 3-5 3.3. Тестирование и отладка программы 3-10 4. Экономическая часть 4.1. Теоретическая часть 4-1 4.2. Расчет 4-17 5. Производственно-экологическая безопасность Теоретическая часть 5-1 Расчет воздухообмена 5-10 6. Заключение 6-1

Введение

Монокристаллы и полупроводниковые структуры широко применяются в качестве элементной базы ЭВМ, в технике связи, лазерной технике и во многих других приложениях. К однородности и структурному совершенству кристаллов предъявляются весьма высокие требования, которые непрерывно возрастают в связи с миниатюризацией всех видов электронной техники. Процессы гидромеханики и тепломассообмена, происходящие в жидкой питающей среде при кристаллизации, могут быть причиной разнообразных дефектов в кристаллах и существенно влиять на производительность и ход соответствующих технологических процессов, являясь в некотором смысле связующим звеном между условиями их протекания и структурой и свойствами получаемых кристаллов. Несмотря на то, что эти свойства в большинстве случаев хорошо изучены, физические причины, вызывающие те или иные дефекты кристаллов, исследованы в значительно меньшей степени. Главную роль в изучении процессов роста кристаллов играет математическое моделирование этих процессов. Разрабатываемая программа является частью системы моделирования направленной кристаллизации кристалла GaAs в условиях микрогравитации, разработанной в НИИ НЦ в отделе 261 в рамках темы " Мангут-3" между НИИ НЦ и МНТЦ Полезных Нагрузок Космических Объектов.

Литература

1. Пасконов Полежаев " Численное моделирование процессов тепло-и массообмена". 2. Самарский А.А. " Теория разностных схем" 3. Марчук Г.И. " Методы вычислительной математики" 4. Статьи и отчеты, вышедшие из отдела 261 НИИ НЦ за 1993-96 годы 5. Салтыков А.И. " Программирование на языке Фортран"
Уточнение информации

+7 913 789-74-90
info@zauchka.ru
группа вконтакте