УЗНАЙ ЦЕНУ

(pdf, doc, docx, rtf, zip, rar, bmp, jpeg) не более 4-х файлов (макс. размер 15 Мб)


↑ вверх
Тема/ВариантИсследование создания ТР с большим отрицательным температурным коэффициентом сопротивления (ТКС) методами толстопленочной технологии при температуре спекания композиции «резистивный материал-стекло» до 1000?С [1].
ПредметРазные экономические дисциплины
Тип работыдиплом
Объем работы40
Дата поступления12.12.2012
2900 ₽

Содержание

1 Литературный обзор 5 1.1 Общие положения 6 1.2 ТР с отрицательным ТКС. Основные характеристики ТР 7 1.2.1 Основные параметры и характеристики ТР прямого подогрева 8 1.3 Материалы, применяемые для изготовления ТР с отрицательным ТКС 10 1.4 Электропроводность в системах оксидов марганца, кобальта, никеля и меди 11 1.4.1 Электропроводность в двойных системах 11 1.4.2 Электропроводность в тройных системах 13 1.5 Основы технологии изготовления ТР с отрицательным ТКС на основе смесей оксидов марганца, кобальта, никеля и меди 14 1.6 Применение ТР с отрицательным ТКС в современной технике 15 1.7 Постоянные резисторы и чип-терморезисторы. Материалы и пасты для их изготовления 15 1.7.1 Подложки 16 1.7.2 Пасты 17 1.7.3 Припои 24 1.7.4 Трафареты 25 1.7.5 Процесс печати 29 1.7.5.1 Переменные параметры процесса трафаретной печати 31 1.8 Процесс сушки и отжига 34 1.9 Органические связующие в диэлектрических и защитных пастах 37 1.10 Выводы 40 2. Технологическая часть. Поиск и разработка составов резистивного мате¬риала с большим отрицательным температурным коэффициентом сопротивления для толстопленочных чип-терморезисторов 41 1. Разработка материалов для получения чип-терморезисторов с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления методами толстопленочной технологии 42 1.1. Синтез терморезистивного материала 42 1.2. Получение образцов для исследования свойств синтезированного полупроводникового материала 43 2. Получение и исследование паст на основе порошков терморезистивных материалов 51 2.1. Получение паст исследование их свойств 51 2.2. Получение чип-терморезисторов и исследование их свойств 53 2.2.1. Нанесение и вжигание контактных площадок 53 2.2.2. Нанесение и вжигание слоев терморезистивных паст 53 2.2.3. Исследование свойств чип-терморезисторов и анализ полученных результатов 53 2.3. Защита поверхности терморезистивного слоя чип-терморезистора пленкой легкоплавкого стекла 65 3. Выводы 67 3. Конструкторская часть. Разработка станка трафаретной печати с длинной базой 68 1. Введение 69 2. Технические характеристики 70 3. Порядок работы на станке 70 3.1. Подготовка к работе 70 3.2. Печать 71 3.3. Завершение работы 71 4. Устройство и принцип действия станка трафаретной печати 72 5. Выводы 73 4. Экономическая часть. Определение конкурентоспособности чип-терморе¬зисторов фирмы «Элма–Импульс» 74 1 Введение 75 2 Определение конкурентоспособности чип-терморезистора фирмы «Элма–Импульс» 82 3 Выводы 89 5. Производственная и экологическая безопасность. Обеспечение производственной и экологической безопасности при разработке резистивного материала 90 1. Экологическая безопасность 91 2. Производственная безопасность 93 2.1. Введение 93 2.2. Анализ опасных и вредных факторов 93 2.3. Техника безопасности 93 2.4. Охрана труда 94 2.5. Шумы, вибрация и освещенность 94 2.5.1. Требования к производственному освещению 94 2.5.2. Электробезопасность 95 2.5.3. Защита от шума и вибрации 97 2.5.4. Опасные и вредные психофизиологические факторы 97 2.5.5. Создание оптимального микроклимата и расчет воздухообмена 98 3. Расчет освещенности 98 3.1. Нормализация искусственного освещения 98 3.2. Классификация искусственного освещения 99 3.3. Нормирование искусственной освещенности 100 3.4. Расчет искусственного освещения методом коэффициента использования светового потока 100 4. Выводы 102 6. Выводы 103 7. Литертура 105

Введение

Среди многочисленных полупроводниковых (п/п) приборов, используемых в на-стоящее время, видное место занимают терморезисторы (ТР)– нелинейные п/п резисто-ры, отличитель¬ной особенностью которых является значительная зависимость величины их электрического сопротивления от температуры. ТР изготовляют из многих п/п материалов. Для этой цели применяют легирован-ные Ge, Si, SiC, A3B5, п/п стекла и другие материалы. Однако подавляющее большинст-во наиболее рас¬пространенных промышленных типов ТР во многих странах создают на основе таких оксидов переходных металлов с неполностью заполненной 3d-электронной оболочкой как оксиды мар¬ганца, кобальта, никеля и меди. Они обладают широким раз-нообразием электрических свойств, позволяющих разработать ТР с самым различным характером температурной зависимости со¬противления. ТР – одни из самых простых п/п приборов. Простота их устройства в сочетании с нели¬нейностью, резко выраженной зависимостью величины сопротивления от темпера-туры при¬вела к широкому использованию ТР в промышленности. ТР применяются в ав-томатике, электронике, электротехнике, телемеханике и во многих других областях промышленности. ТР получают, в основном, с помощью керамической технологии, отличительной особен¬ностью которой является высокая температура спекания резистивного материала. Целью настоящей работы является исследование создания ТР с большим отрица-тельным температурным коэффициентом сопротивления (ТКС) методами толстопле-ночной технологии при температуре спекания композиции «резистивный материал-стекло» до 1000?С [1].

Литература

Уточнение информации

+7 913 789-74-90
info@zauchka.ru
группа вконтакте