СодержаниеВведение.......................................................................................
Глава 1. Многоуровневая металлизация. Проблема неровности профиля изоляционного слоя.
1.1. Многоуровневая металлизация в современных
СБИС.................................................................................
1.2. Технология создания слоя металлизации в многоуровневых структурах...............................................
1.3. Анализ структуры после химико-механического
полирования......................................................................
Глава 2. Метод уменьшения неровности профиля
изоляционного слоя.
2.1. Метод снижения неровности поверхности................
2.2. Структура процесса разработки фотошаблона.........
2.3. Этап коррекции фотошаблона..................................
2.4. Общая характеристика средств описания
топологии........................................................................
Глава 3. Алгоритм коррекции фрагмента топологии.
3.1. Общее описание алгоритма коррекции
слоя металлизации..........................................................
3.2. Описание алгоритма коррекции фрагмента..............
3.2.1. Основные представления и понятия....................
3.2.2. Общее описание алгоритма коррекции
фрагмента.....................................................................
3.2.3. Детальное описание алгоритма...........................
Глава 4. Программная реализация алгоритма и результаты тестирования.
4.1. Общее описание программы....................................
4.2. Тестовые примеры....................................................
4.3. Временная оценка работы программы.....................
Глава 5. Организационно - экономический раздел. Расчет
годового экономического эффекта от внедрения
системы автоматической коррекции шаблонов БИС.
5.1. Общие положения.....................................................
5.2. Методика расчета годового экономического
эффекта от внедрения САПР...........................................
5.3. Расчет годовой экономии.........................................
5.4. Расчет дополнительных капитальных вложений........
5.5. Данные для расчета..................................................
5.6. Расчет годового экономического эффекта и
ожидаемых технико - экономических показателей..........
5.7. Вывод.......................................................................
Глава 6. Раздел «Производственно-Экологическая
безопасность». Электробезопасность в помещениях вычислительных центров.
6.1. Анализ вредных воздействий на организм
человека при работе на ЭВМ ..........................................
6.2. Электроопасность при работе с ЭВМ.......................
6.3. Факторы влияющие на степень поражения
электрическим током......................................................
6.4. Медицинская помощь при поражении
электрическим током.......................................................
6.5. Организационные и технические мероприятия
по безопасности эксплуатации........................................
6.6. Вывод.......................................................................
Заключение...................................................................................
Список используемой литературы.................................................
Приложение. Текст основных процедур, реализующих
алгоритм.................................................................ВведениеСовременная технология КМДП СБИС с 4-5 уровнями межсоединений включа-ет операции планаризации межуровневых диэлектрических слоев. Качество по-верхности таких слоев, в частности, определяется операцией химико-механической полировки. В структурах, содержащих несколько уровней металли-зации, важным показателем является ровность поверхности окисла.
Одной из важнейших причин неровности поверхности после полировки являет-ся неоднородность топологии кристалла. После осаждения слоя межуровневой изоляции в местах , где расположены металлические проводники, слой диэлек-трика содержит выпуклости, а в местах, где проводники отсутствуют, образуются впадины. Это приводит к появлению ложбин, прогибов межуровневой изоляции, что снижает выход годных.
В данной дипломной работе предлагается метод для устранения указанных де-фектов при многоуровневой металлизации, который проводит «коррекцию» топо-логии микросхемы на всех уровнях металлизации (кроме последнего). Операция коррекции заключается в заполнении всех «топологических пустот» проводника-ми стандартного сечения, не подключенными к узлам схемы. При этом профиль каждого уровня межсоединений «выравнивается» что позволяет достичь высокого качества на этапе планаризации диэлектрика.
Целью данной работы является разработка алгоритма выше указанного метода и программы для его испытания.Литература1. Казеннов Г.Г., Щемелинин В.М. «Топологическое проектирование нерегуляр-ных СБИС». - Москва, «Высшая школа», 1990.
2. Марченко А.М., Щемелинин В.М. «Методы компиляции конструкции заказных СБИС». - МГИЭТ, 1995.
3. Селютин В.А. «Автоматическое проектирование топологии БИС».- Москва, «Радио и связь», 1983.
4. Перевощиков В.А., Скупов В.Д. «Особенности абразивной и химической обра-ботки полупроводников».- Издательство Нижнегородского университета, 1992.
5. Захаров Б.Г., Дмитриева Т.В., и др. «Способ полирования п/п материалов», 1985.
6. Марченко А.М., Щемелинин В.М., Казеннов Г.Г. «Автоматический синтез то-пологии заказных СБИС», 1989.
7. «GDSII tm Stream format manual, Release 6.0». - Calma Company, 1987.
8. Nicholas K.Eib «The art and science of lithography simulation». - «Microlythography world», 1996.
9. Долин П.А. «Справочник по технике безопасности». - Москва, «Энергоатом-издат», 1984г.
10. Золиной З.М. «Охрана труда при выполнении монотонной работы». - Темати-ческий сборник.
11. Каракеян В.И., Константинова Л. А., Писеев В.М. «Лабораторный практикум по курсу «Производственная и экологическая безопасность в микроэлектрони-ке»». - Москва, МИЭТ, 1990г.
12. Каракеян В.И., Писеев В. М. «Методы и средства обеспечения оптимальных параметров производственной среды на предприятиях электронной промыш-ленности». - Учебное пособие, МИЭТ, 1987г.
13. Константинова Л. А., Ларионов Н. М., Писеев В. М. «Методы и средства обеспечения безопасности технологических процессов на предприятиях элек-тронной промышленности». - МИЭТ, 1990г.
14. Ильин Ю.М., Короткова Т.Л., Костина Г.Д. «Методические указания к курсо-вой работе и дипломному проектированию по расчету экономической эффек-тивности от внедрения АСУТП и САПР». - МИЭТ, 1987.
15. Проскуряков А.В., Моисеева Н.К., Анискин Ю.П. «Экономика и организация разработок, освоения и производства изделий микроэлектроники». - Москва, «Высшая школа», 1987.
|
|
