СодержаниеКвантовые точки………………………………………………………….3
Квантование энергии и дискретные энергетические уровни……….4
Методы создания полупроводниковых квантовых точек…………..5
Поглощение света полупроводниковыми квантовыми точками…..6
Спектры поглощения полупроводниковых квантовых точек……..7
Экспериментальная установка………………………………………...12
Заключение……………………………………………………………….13
Список использованной литературы……………………..…………..14ВведениеИнтерес к наноструктурам обусловлен принципиальным отличием их свойств от свойств объемного полупроводника. Так как в наноструктурах содержится малое количество вещества, то оно находится в особом состоянии. Например, квантовая точка кремния диаметром 1нм содержит всего около 800 атомов, треть из которых находится на ее поверхности. Также большой вклад в свойства полупроводниковых наноструктур вносит дискретный набор энергетических уровней, причем для квантовых точек расстояние между этими уровнями зависит непосредственно от радиусов точек.
Целью измерения спектров поглощения полупроводниковых квантовых точек, рассматриваемых в данной работе, является определение структуры энергетических уровней точек и, как следствие, определение их радиусов.Литература1 – В. Я. Демиховский. Квантовые ямы, нити, точки. Что это такое? Соросовский образовательный журнал, том 3, № 5, 1997 год.
2 – В. А. Кульбачинский. Полупроводниковые квантовые точки. Соросовский образовательный журнал, том 7, № 4, 2001 год.
3 – Ал. Л. Эфрос, Ф. Л, Эфрос. Межзонное поглощение света в полупроводниковом шаре. Физика и техника полупроводников, том 16, № 7, 1982 год.
4– Екимов А. Л. и другие. Поглощение и зависимость интенсивности измеренной фотолюминесценции для CdSe квантовой точки: значение первого электронного перехода. Журнал оптических наук, том 10, № 1, 1993 год.
|
