Технические, готовая курсовая работа

ZAUCHKA.ru

+7 913 789-74-90

Интернет-магазин/Электротехника, электроника, энергетика/Электроника/Составления топологии гибридных интегральных микросхем

Тема/Вариант	Составления топологии гибридных интегральных микросхем
Предмет	Электроника
Тип работы	курсовая работа
Объем работы	15
Дата поступления	12.12.2012

1500 ₽

Содержание

. 1. Введение............................................................................................2 2. Электрический расчет......................................................................5 2.1. Комбинация “0111”..........................................................................6 2.2. Комбинация “0010”..........................................................................8 2.3. Комбинация “1100”..........................................................................9 2.4. Комбинация “1000”........................................................................11 2.5. Расчет мощностей...........................................................................11 3. Технологический расчет................................................................13 4. Заключение.......................................................................................16 5. Литература.......................................................................................16

Введение

Введение. Современный научно-технический прогресс невозможен без радиоэлектронной аппаратуры (РЭА), которая широко используется как при планировании и управлении производством, так и в автоматизации производственных процессов и в научных исследованиях. Технологии изготовления РЭА постоянно совершенствуются. В развитии радиоэлектронной аппаратуры можно выделить несколько этапов, характеризующих технологии и принципы изготовления РЭА. Этапы развития РЭА (радио электронной аппаратуры). 1. Навесной монтаж (основные элементы: резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, электровакуумные (полупроводниковые) приборы). 2. Печатный монтаж (особенности: уменьшение габаритов РЭА и повышение ее надежности). 3. Интегральные микросхемы (особенности: непрерывное возрастание сложности, числа элементов, степени интеграции). Каждый новый этап развития технологии изготовления РЭА не отрицал и не исключал ранее разработанную технологию и ранее применявшиеся элементы РЭА, а дополнял и обогащал ее, обеспечивал качественно новый уровень разработки, изготовления и эксплуатации аппаратуры. Поэтому при решении каждой конкретной задачи при выборе элементной базы и соответствующей ей технологии изготовления радиоэлектронного устройства необходимо учитывать достоинства и недостатки каждого поколения РЭА. На первом этапе основными элементами РЭА были резисторы, конденсаторы, катушки индуктивности, электровакуумные и позже полупроводниковые приборы. Все эти элементы изготовляли в виде конструктивно законченных деталей, укрепляемых на шасси с помощью опорных поверхностей, а их выводы соединяли соответствующим образом проводниками с помощью пайки. В дальнейшем этот вид монтажа получил название навесного монтажа. На втором этапе удалось уменьшить габариты РЭА и повысить ее надежность. В ходе развития печатного монтажа: в печатных платах сначала заменили резисторы токоведущими дорожками из материала с большим удельным электрическим сопротивлением, затем конденсаторы - разрывами в токоведущих дорожках, заполненными соответствующим диэлектриком. Такие платы получили название интегральных микросхем. Появление интегральных микросхем открыло перед радиоэлектроникой практически неограниченные возможности. На рисунке показаны отрасли применения печатных плат.

Литература

Литература. 1. В.А Валетов «Основы производства радиоэлектронной аппаратуры» учебное пособие. 2007 2. Интегральные микросхемы http://dssp.karelia.ru/~ivash/ims/t1/introduc.htm#Proec

Уточнение информации

+7 913 789-74-90
info@zauchka.ru
группа вконтакте