СодержаниеОГЛАВЛЕНИЕ
<br>
<br>Введение
<br>1.Полупроводниковые тензометрические датчики 3
<br>1.1.Технология наклеивания тензорезисторов 6
<br>1.2.Миниатюрный внутриполостной датчик давления крови 7
<br>1.3.Полупроводниковый дифференциальный датчик низких давлений 8
<br>1.4.Полупроводниковый щуп контактных давлений 10
<br>1.5.Полупроводниковый гетероэпитаксиальный датчик высоких давлений 11
<br>1.6.Полупроводниковый гетероэпитаксиальный датчик давления крови 13
<br>2.Гальваномагнитные датчики 14
<br>3.Емкостные датчики 17
<br>3.1.Емкостной датчик высоких давлений 17
<br>3.2.Емкостной датчик давления крови 19
<br>4.Струнные датчики 20Введение1. Полупроводниковые тензометрические датчики
<br>
<br>Высокая чувствительность и точность, линейность выходного сигнала, возможность использования серийно выпускаемых тензорезисторов и упругих чувствительных тензоэлементов, а также технологичность характеризуют эти датчики как наиболее удовлетворяющие современным требованиям. Датчики с наклееными тензорезисторами могут иметь миниатюрное исполнение с диаметром мембраны 3-3,5 мм.
<br>Использование автоэпитаксиальных и гетероэпитаксиальных чувствительных элементов позволяет конструировать датчики давления с наружным диаметром 1,5-2,5 мм. Для микродатчиков давления (точечных) могут быть использованы пьезочувствительные транзисторы. Однако разработка этих датчиков затруднена высоким уровнем шумовых характеристик пьезочувствительных транзисторов.
<br>Полупроводниковые тензодатчики давления чувствительны к ударам, вибрациям, ядерной радиации и другим внешним воздействиям, однако основным фактором, вызывающим погрешности в измерениях давления, является изменение температуры окружающей среды. Таким образом, выходной электрический сигнал U0 датчика давления и его полный дифференциал можно представить в следующем виде:
<br>U0=f(p,T);
<br>dU0=(∂U0/∂p)t dp + (∂U0/∂T)p dt
<br>и в линеаризованном виде
<br>U0=U0/p|T p + U0/T|p T;
<br>U0Spp + STT,
<br>
<br>где Sp и ST – соответственно чувствительность датчика по давлению и температуре.
<br>Линеаризация допустима, поскольку статические характеристики рассматриваемых датчиков линейны в пределах ±1,5% верхнего предела измерений. При испытаниях датчиков на влияние температуры необходимо учитывать не только предельные значения температуры и способы нагрева, но и изменение температуры во времени, причем так, чтобы режим T1=const и T2=const выдерживался в течении времени t1, t2 не менее времени, ожидаемого в условиях рабочих измерений.Литература1. Пр. Люсов В.А., к.м.н. Волов Н.А., к.м.н. Кокорин В.А. Проблемы и достижения в области измерения артериального давления.  Москва, Российский государственный медицинский университет,2005
<br>2. Журнал «Современная электроника» 6, 2006
<br>3. Готры З. Ю., Чайковский О. И. Датчики. Справочник. Издательство "Каменяр", Львов, 1995
<br>4. http://www.chipdip.ru/ - электронные компоненты и приборы
|