УЗНАЙ ЦЕНУ

(pdf, doc, docx, rtf, zip, rar, bmp, jpeg) не более 4-х файлов (макс. размер 15 Мб)


↑ вверх
Тема/ВариантМетоды напыления тонких пленок, приенение установки ВУП-5
ПредметФизика
Тип работыкурсовая работа
Объем работы18
Дата поступления12.12.2012
1500 ₽

Содержание



Введение 2

Термическое (вакуумное) напыление 3

Катодное напыление 5

Ионная бомбардировка 7

Ионно-плазменное напыление 9

Анодирование 11

Электрохимическое осаждение 12

ВУП-5, технические характеристики 13

Трансмиссионная электронная микроскопия 15

Заключение 17

Литература 1

Введение

Образцы для исследования в просвечивающем электронном микроскопе могут быть приготовлены как непосредственно из материала исследуемого объекта, так и из материала, отличного от материала объекта. В первом случае анализ электроннограмм и дифракционного контраста на изображении дает непосредственную информацию о кристаллической структуре объекта. Тонкие образцы для таких исследований готовятся с помощью следующих методик:

• получение тонких срезов на ультрамикротоме;

• утончение объектов химической полировкой или ионной бомбардировкой;

• напыление пленок – термическое испарение, катодное распыление, газотранспортные реакции и т.д.

• разбрызгивание и высушивание (для порошков и суспензий).

Тонкие пленки представляют собой слой какого-либо материала толщиной от 10 до 10000А. Они различаются по своим физическим и химическим свойствам: эпитаксиальные монокристаллические и аморфные, проводящие и диэлектрические, органические и неорганические. Под эпитаксиальной пленкой обычно понимают монокристаллический слой, выращенный на монокристаллической подложке с которой он имеет определенное кристаллографическое соответствие. Эпитаксиальные монокристаллические пленки обычно содержат дефекты, такие, как дислокации, дефекты упаковки, двойники и субструктуры. Когда верхний слой того же состава, что и подложка, его называют гомоэпитаксиальным, если же верхний слой другого состава, то он называется гетероэпитаксиальным. Аморфные тонкие пленки обладают либо структурой типа беспорядочной сетки, либо беспорядочной плотноупакованной структурой.

В данной работе будет рассмотрен метод напыления тонких пленок термическим испарением на установке ВУП-5.

Литература

1. Технология тонких пленок. Справочник, под ред. Л. Майссела, Р. Глэнга, пер. с англ., т. 1-2, М., 1977;

2. Плазменная металлизация в вакууме, Минск, 1983;

3. Черняев В.Н., Технология производства интегральных микросхем и микроциклоров, 2 изд., М., 1987;

4. Волков С. С., Гирш В. И., Склеивание и напыление пластмасс, М., 1988;

5. Коледов Л. А., Технология и конструкция микросхем, микроциклоров и микросборок, М., 1989. Л. А. Коледов.

6. Шиммель Г., Методика электронной микроскопии, пер. с нем., М., 1972
Уточнение информации

+7 913 789-74-90
info@zauchka.ru
группа вконтакте