СодержаниеАннотация...........................3
Введение.............................4
Глава 1. Химико механическое полирование пластин кремния большого диаметра.....................6
1.1 Факторы и основные показатели процесса химико-
механического полирования.............6
1.2 Анализ технологических особенностей одностороннего
ХМП пластин кремния..................10
1.3 Аналитическое исследование погрешности формы пластин при ХМП....................18
Глава 2. Сравнительные характеристики оборудования для ХМП.............................25
2.1 Особенности и недостатки различных схем ХМП пластин кремния.....................25
2.2 Методы и оборудование для монтажа пластин кремния............................31
2.3 Конструктивные особенности станка 16В4Р......43
Глава 3. Разработка технологии одностороннего ХМП пластин кремния на станке 16В4Р...................48
3.1 Методика подготовки станка к проведению технологических процессов ХМП..............48
3.2 Выбор схемы обработки и подбор технологических режимов..........................53
3.3 Методика проведения процессов ХМП..........55
3.4 Результаты исследований................58
Глава 4. Мероприятия по ПЭБ в процессах механической обработки кремниевых пластин................68
4.1 Опасные и вредные факторы, присутствующие на участке ХМП кремниевых пластин...........70
4.2 Мероприятия по устранению воздействия опасных и вредных факторов на персонал...............72
4.3 Охрана окружающей среды.............75
4.4 Эргономические вопросы при ХМП.........79
4.5 Расчет освещенности рабочего места..........80
Глава 5. Экономическое обоснование эффективности перехода к двухстороннему ХМП пластин Si на станке 16В4Р.......84
5.1 Исходные данные для расчета текущих затрат......86
5.2 Расчет показателей экономической эффективности...91
Выводы............................95
Список литературы.....................97ВведениеРазвитие микроэлектроники идет в соответствии с устойчивой тенденцией уменьшения топологических размеров элементов, увеличения степени интеграции и диаметра пластин.
Увеличение диаметра кремниевых пластин, используемых для изготовления СБИС и ССИС и уменьшение топологических размеров элементов явлются важными элементами увеличения производительности и цены изделия, приведенной к одному квадратному сантиметру кристалла. Это достигается за счет увеличения числа кристаллов на пластине.
В то же время, при уменьшении топологических размеров, ужесточаются требования к макрогеометрическим параметрам пластин. Поэтому особое внимание следует уделить одной из важнейших операций в производстве кремниевых пластин химико-механическому полированию (ХМП). Ее важность заключается в том, что всегда при улучшении микрогеометрических параметров пластины происходило ухудшение макрогеометрических параметров, достигнутых при шлифовании.
Используемое сейчас в нашей стране оборудование для операции ХМП работает на пределе своих возможностей. Параметры пластин диаметром 150 мм, которые полируются на нашем оборудовании, уже не удовлетворяют мировым стандартам, а пластин диаметром 200 мм не удовлетворяют даже нашим стандартам.
Таким образом, в связи с растущей потребностью на кремниевые пластины большого диаметра, усовершенствование операции ХМП является одной из проблем, стоящих в данный момент перед отечественными производителями кремниевой промышленности.
В рамках данной работы будет рассмотрен один из путей решения этой проблемы, а именно полирование склеенных между собой в единый блок пластин на станке двухсторонней полировки.Литература1. Чуканов С.В. Обоснование и разработка способа прецизионного химико-механического полирования пластин кремния большого диаметра для СБИС субмикронного уровня.: Диссертация на соискание уч.степ.канд.техн.наук: 05.27.06.
2. Технология СБИС Под ред. С. Зи. – М.: Мир, 1986. – Т.1.
3. Сагателян Г.Р., Шульга В.Г., Хохлов А.И. Минимизация формируемой на операции одностороннего полирования разнотолщинности тонких кремниевых пластин // Вестник МГТУ, Сер. Приборостроение, 1995, №3, с.109–120.
4. Работа “Модуль” Москва, НИИМВ, 1997г.
5. Хохлов А.И., Чуканов С.В., Шульга В.Г. Методы и оборудование для монтажа пластин кремния большого диаметра на технологическом этапе химико-механического полирования // Известия ВУЗов: Электроника, 1998, №4, с.37-41
6. Кузнецов С.М., Шевелькова Л.И., Сергеев С.А. Основные представления о классическом процессе формообразования //Формообразование оптических поверхностей /Под ред. К.Г.
7. Л.А.Константинова, И.И.Ларионов, В.М.Писеев “Методы и средства обеспечения безопасности технологических процессов на предприятиях электронной промышленности” М.МИЭТ, 1986г.
8. Каранеян В.И., Ушаков В.И., Дащинская Л.И., “Физиолого-гигиенические аспекты организации чистых производственных помещений” М.МИЭТ, 1986г.
9. Л.А. Константинова и др. Метододические указания по выполнению раздела “Охрана труда” в дипломном проекте для студентов МИЭТ/ под ред. В.И.Каракеян М.МИЭТ, 1988г.
10. В.И.Каракеян. “Токсикометрические характеристики материалов в технологии микроэлектроники” М.МИЭТ, 1992г
11. Л.А.Константинова, В.М.Писеев. Методические указания по выполнению раздела “Охрана окружающей среды” в дипломном проектировании под ред. В.И.Каракеян. М.МИЭТ,1988г.
12. А.Н.Пилишенко, В.Я.Лякса-Тиминский. Методические указания по выполнению курсовых работ по экономике и организации производства. Под ред. В.Я.Лякса-Тиминского М.МИЭТ, 1980г.
13. Ю.П.Анискин, В.Я.Лякса-Тиминский. Экономические проблемы научно-технического прогресса и методы расчета экономической эффективности. Учебное пособие. Под ред. А.В.Проскурякова М.МИЭТ, 1982г.
|
|
