УЗНАЙ ЦЕНУ

(pdf, doc, docx, rtf, zip, rar, bmp, jpeg) не более 4-х файлов (макс. размер 15 Мб)


↑ вверх
Тема/ВариантРазработка ГИС
ПредметРазные экономические дисциплины
Тип работыконтрольная работа
Объем работы20
Дата поступления12.12.2012
690 ₽

Содержание

1. Введение..................... 2. Теоретические сведения............... 3. Расчёт тонкоплёночных резисторов........... 4. Расчёт тонкоплёночных конденсаторов........ 5. Разработка топологической структуры ИМС....... 6. Приложение 1.................... 7. Приложение 2.................... 8. Заключение..................... 9. Список литературы.................

Введение

Элементы плёночной технологии. Пассивные элементы гибридных ИМС создаются из тонких плёнок прово-дящих, резистивных и диэлектрических материалов нанесённых на поверхность подложки. Достоинством плёночных микросхем является возможность изготовления пассивных элементов в широком диапазоне номиналов с минимальными допус-ками и лучшими, чем у полупроводниковых схем диэлектрическими характери-стиками. Конструктивное использование плёночных ИМС позволяет реализовать мощные (100Вт) электрические схемы, работающих при больших значениях на-пряжения. Процесс изготовления гибридных плёночных ИМС осложняется тем, что активные элементы выполняются в виде навесных бескорпусных транзисто-ров, диодов и т. д. Габаритные размеры подложек стандартизированы. На стан-дартизированной подложке групповым методом изготавливается несколько плат ГИС. В качестве материалов тонкоплёночных проводников применяется Al, Cu, Ti, Tl, Ag. Резистивные слои образуют плёнки хрома, нихрома Х20Н80, тантала, ти-тана, Re и т. д. Диэлектрические слои тонкоплёночных ИМС получают, осаждением мо-ноокиси кремния SiO и германия GeO, двуокисей SiO2 и GeO2, окислов Al2O2; Ta2O5; Nb2O5. Существует несколько способов получения тонких плёнок: 1. Электрическое осаждение; 2. Химическое осаждение; 3. Осаждение пиролитическим разложением; 4. Оплавление порошка стеклообразного материала; 5. Термовакуумное осаждение плёнок; 6. Катодное и ионно-плазменное распыление.

Литература

1. Берцин А С., Мочалкин О.Р., Технология и конструирование ИМС, - М.: Радио и связь, 1983. 2. Ермолаев Ю.П., Понаморёв, Конструкции и технология микросхем (ГИС и СБИС): Учебник для ВУЗов. - М.: Сов. Радио. 1980. 3. Васильев К.Ю., Гиленко В.Т., Овсянников В.В. Плёночная технология.: - Днепропетровск: ДГУ, 1985. 4. Понаморёв М.Ф.: Конструирование и расчёт микросхем и микроэлемен-тов ЭВА. - М.: Радио и связь, 1989. 5. Присухин Л.Н., Шахнов В.А. Конструирование вычислительных машин и систем. М.: В.Ш., 1986. 6. Ушаков Н.И. Технология производства ЭВМ. Учебник для ВУЗов, 3 изд. - М.: В.Ш., 1991.
Уточнение информации

+7 913 789-74-90
info@zauchka.ru
группа вконтакте