Экономические, готовая курсовая работа

ZAUCHKA.ru

+7 913 789-74-90

Интернет-магазин/Разные экономические дисциплины/Разные экономические дисциплины/Расчёт МОП-транзистора с индуцированным каналом

Тема/Вариант	Расчёт МОП-транзистора с индуцированным каналом
Предмет	Разные экономические дисциплины
Тип работы	курсовая работа
Объем работы	11
Дата поступления	12.12.2012

890 ₽

Содержание

1. Задание. 1.1. Имеется МОП-транзистор с индуцированным каналом на кремневой под-ложке. В курсовой работе необходимо выполнить: 1) Построение вольтфарадной характеристики МОП-структуры. 2) Построение стоковой и стоко-затворной характеристики. 3) Определение напряжения и тока насыщения и напряжения отсечки. 4) Нахождение крутизны стоко-затворной характеристики и проводимости канала. 1.2. Исходные данные: 1) концентрация примеси N=3,5*1015 См-2; 2) тип подожки n; 3) ширина канала Z=5,8 мкм; 4) толщина канала L=1,1 мкм; 5) толщина оксидного слоя Xокс=0,15 мкм; 6) плотность заряда Qss=8*10-8 Кл/м2; 7) поверхностный заряд на границе Qss=1,6*10-8 Кл/см2. 1.3. Дополнительно будут использоваться следующие справочные данные: 1) тепловой потенциал; 2) собственная концентрация носителей в кремнии ni=1,5*1010см-3; 3) диэлектрическая проницаемость кремния Еап=1,062*10-12 Ф/см; 4) диэлектрическая проницаемость оксида Еок=3,54*10-13 Ф/см; 5) заряд электрона q=1,6*10-19 Кл; 6) работа выхода электрона для алюминия Фм=4,1 эВ; 7) энергия сродства электрона для кремния Х=4,05 эВ; 8) ширина запрещённой зоны для кремния Еg=1,124 эВ. 1.4. Допущения: 1) металл – идеальный проводник; 2) оксидный слой – идеальный диэлектрик, заряды внутри слоя отсутству-ют; 3) в расчёте будем пренебрегать поверхностными явлениями на границах металл-оксид и оксид-полупроводник; 4) полупроводник считается идеальным и однородным. 2. Расчётная часть. 2.1. Построение вольтфарадной характеристики МОП-структуры. 2.2. Построение стоковой и стоко-затворной характеристики. 2.3. Нахождение крутизны стоко-затворной характеристики и проводимости канала. 2.4. Определение напряжения и тока насыщения и напряжения отсечки. 3. Заключение. Список литературы.

Введение

нет

Литература

1. Л.Рассадо “Физическая электроника и микроэлектроника”, М. Высшая школа, 1991г. 2. Маллер Д.Б. “Элементы интегральных схем”. 3. Агарханян O.П. “Основы транзисторной электроники”. 4. И.П. Степаненко “Основы транзисторов и транзисторных схем”, М., Энергия, 1973г.

Уточнение информации

+7 913 789-74-90
info@zauchka.ru
группа вконтакте