Работа 2012г

 Отчет по работе №3

"Исследование статических характеристик и параметров полевых транзисторов"

ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК И ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ

1. Цель работы

Изучить принцип действия, характеристики и параметры полевых транзисторов (ПТ).

2 . Подготовка к работе

2.1. Изучить следующие вопросы курса:

2.1.1. Устройство, назначение, принцип действия ПТ различных структур.

2.1.2. Схемы включения ПТ.

2.1.3. Статические характеристики.

2.1.4. Дифференциальные параметры ПТ и их определение по характеристикам.

2.2. Ответить на следующие контрольные вопросы:

2.2.1. Объяснить устройство полевых транзисторов с p-n переходом и изолированным затвором (МДП структура).

2.2.2. Нарисовать обозначение полевых транзисторов разных типов и структур.

2.2.3. Объяснить принцип действия полевых транзисторов с p-n переходом и с изолированным затвором.

2.2.4. Изобразить и объяснить вид передаточных и выходных характеристик ПТ различных типов с каналом “p” и “n”.

2.2.5. Объяснить определение дифференциальных параметров по статическим характеристикам ПТ.

2.2.6. Нарисовать схемы для исследования статических характеристик полевых транзисторов различных типов с каналом типа “p” и “n”.

2.2.7. Дать определение предельным эксплуатационным параметрам ПТ.

2.2.8. Пояснить влияние температуры на работу ПТ, его статические характеристики и параметры.

Литература

1. Игнатов А.Н., Калинин С.В., Савиных В.Л. Основы электроники, - СибГУТИ, Новосибирск, 2005, стр. 119-121. 

2. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника. Под редакцией Федорова Н.Д. -М: Радио и связь, 1998. Стр.146-156, 166-176, 184-185.

3. Электронные приборы. Под редакцией Шишкина Г.Г. -М.: Энергоатомиздат, 1989. Стр. 205-224, 235-245 (выборочно).

4. Батушев В. А. Электронные приборы. -М.: Высшая школа, 1980. Стр. 183-211 (выборочно).

5. Дулин В. Н. Электронные приборы. -М.: Энергия, 1977. Стр. 342-357 (выборочно).

6. Савиных В.Л. Физические основы электроники. – Сиб ГУТИ, Новосибирск, 2002. Электронная версия.

4. Порядок проведения исследований

4.1. Снять передаточную характеристику IC=F(U3И). Для этого выбрать “Передаточные характеристики” (рисунок 3.1), установить UCИ=10В и изменять напряжение U3И до тех пор, пока IC не станет равным нулю. Результаты измерений занести в таблицу 3.1. Определить напряжение отсечки U3ИО (определить напряжение U3И, при котором ток стока снизится примерно до 10 мкА)

Таблица 3.1

 4.2 Снять выходные характеристики транзистора при четырех значениях напряжения на затворе UЗИ, в том числе при UЗИ 1= 0, UЗИ 2  0,2  UЗИО и UЗИ3 0,4  UЗИО и UЗИ 4= 0,6 UЗИО. Результаты измерений внести в таблицу 3.2.

Таблица 3.2

 4.3. Исследовать схему усилителя при различных напряжениях Есм (получить неискаженный и искаженный сигнал на выходе). 

5. Указания к составлению отчета

Отчет должен содержать:

5.1 Схемы исследований транзистора.

5.2 Таблицы с результатами исследований.

5.3 График характеристики прямой передачи 

5.4 Семейство выходных характеристик 

5.5 Определить крутизну в двух точках характеристики прямой передачи: при напряжении UЗИ= 0 В и UЗИ= 0,5∙UЗИ0 

5.6 Привести осциллограммы работы усилителя.