|
СодержаниеОпределение электрических параметров элементов схемы\r\nТехнологические этапы изготовления ИМС\r\nПоследовательность операций планарно-эпитаксиальной технологии производства ИМС\r\nМеханическая обработка поверхности рабочей стороны кремниевой пластины р-типа до 14-го класса чистоты и травление в парах НСl для удаления нарушенного слоя\r\nСнятие окисла и подготовка поверхности перед процессом эпитаксиального наращивания\r\nФормирование эпитаксиальной структуры\r\nПоследовательность расчета параметров интегральных резисторовПоследовательность расчета МДП-конденсатора\r\nОсобенности топологии разрабатываемой ИМСВведениеИнтегральная электроника на сегодняшний день является одной из наиболее бурно развивающихся отраслей современной промышленности. Значимой составной частью данной науки является схемотехническая микроэлектроника. На каждом новом этапе развития технологии производства интегральных микросхем (ИМС) создаются принципиально новые методы изготовления структур ИМС, отражающие последние достижения науки.\r\nВ настоящее время наибольшее внимание в микроэлектронике уделяется созданию СБИС — сверхбольших интегральных схем — интегральных структур с очень большой степенью интеграции элементов, что позволяет не только значительно уменьшить площадь подложки ИМС, а следовательно, габаритные размеры и потребляемую мощность, но также и значительно расширить перечень функций, которые данная СБИС способна выполнять.\r\nВ частности, использование СБИС в вычислительной технике позволило создание высокопроизводительных микропроцессоров электронно-вычислительных машин, а также встраиваемых однокристальных микроконтроллеров, объединяющих на одном кристалле несколько взаимосвязанных узлов вычислительного комплекса.\r\nПереход к использованию СБИС сопряжен со значительным увеличением числа элементов ИМС на одной подложке, а также с существенным уменьшением геометрических размеров элементов ИМС. В настоящее время технология позволяет изготовление отдельных элементов ИМС с геометрическими размерами порядка 0,15 – 0,18 мкм.\r\nБыстрое развитие микроэлектроники как одной из самых обширных областей промышленности обусловлено следующими факторами: \r\n1. Надежность — комплексное свойство, которое в зависимости от назначения изделия и условий его эксплуатации может включать безотказность, долговечность, ремонтопригодность и сохраняемость в отдельности или определенное сочетание этих свойств как изделий в целом, так и его частей. Надежность работы ИМС обусловлена монолитностью их структуры, а также защищенностью интегральных структур от внешних воздействий с помощью герметичных корпусов, в которых, как правило, выпускаются серийные ИМС.\r\n2. Снижение габаритов и массы. Значительное уменьшение массы и размеров конкретных радиоэлектронных приборов без потери качества работы также является одним из решающих факторов при выборе ИМС при разработке различных приборов и узлов радиоэлектронной аппаратуры.\r\nОписание схемы для разработки\r\nДанная схема представляет собой цифровую схему логики 4ИЛИ-НЕ на биполярных транзисторах. Питание схемы стандартное, 5В. Схема состоит из четырех идентичных каскадов, состоящих из биполярного транзистора, резистора и конденсатора.\r\nЛогика данного логического элемента — насыщенного типа, т. е. транзисторы в каскадах при работе схемы работают либо в режиме отсечки (на входе — \\\"0\\\", на выходе — \\\"1\\\", транзистор закрыт) либо в режиме насыщения (на входе — \\\"1\\\", на выходе — \\\"0\\\", транзистор открыт).\r\nНазначение пассивных элементов в цепи базы транзисторов следующее: \r\n1. Резистор — предназначен для выравнивания входных характеристик всех каскадов логического элемента. Включение резистора в цепь базы необходимо ввиду большой погрешности параметров, в частности, сопротивления базы при изготовлении интегральной структуры транзистора, что является неприемлемым, так как не обеспечивает требуемой стабильности и воспроизводимости параметров схемы.\r\n2. Конденсатор — применяется для увеличения быстродействия каскада. Это достигается благодаря свойству конденсатора проводить сигналы высших гармоник. При подаче на вход схемы уровня логической единицы в момент перехода из ноля в единицу входной сигнал содержит много гармоник высших порядков, которые беспрепятственно проходят через конденсатор, открывая транзистор. При установлении на входе стабильного напряжения гармоники высших порядков пропадают, и транзистор стабильно работает в режиме насыщения.\r\nВвиду наличия в схеме транзисторов, резисторов и конденсаторов, данный тип логики получил название резисторно-емкостной транзисторной логики (РЕТЛ).\r\nВвиду того, что все четыре каскада рассматриваемой схемы являются абсолютно идентичными, работа остальных каскадов не рассматривается.ЗаключениеВ данной работе была разработана топология и рассчитаны параметры интегральной логической схемы резисторно-емкостной транзисторной логики (РЕТЛ). Приведенные расчеты подтверждают полное соответствие разработанной ИМС требованиям технического задания. Топология микросхемы разработана с учетом технологических возможностей оборудования. Линейные размеры элементов и расстояния между ними больше минимально допустимых, что обеспечит меньшую погрешность при производстве, а следовательно, и больший выход годных изделий при групповом производстве.\r\nЭлектрические параметры схемы учитывают работу схемы в реальных условиях, а именно скачки питающего напряжения и напряжения на логических входах.\r\nРасчеты параметров элементов схемы предусматривают ее эксплуатацию в климатических условиях, характерных для широты Украины.\r\nРазработанная ИМС полностью пригодна для эксплуатации в современной электронной аппаратуре.Литература1. Калниболотский Ю. М. и др. Расчет и конструирование микросхем. — Киев: Высшая школа, 1983.\r\n2. Конструирование и технология микросхем. Под ред. Коледова Л. А. — М.: Высшая школа, 1984.\r\n3. Методичні вказівки до виконання розрахункових робіт на ЕОМ з курсу \\\"Мікроелектроника та функціональна електроніка\\\". ч.1,2. — Київ: КПІ, 1993.
|
|
