УЗНАЙ ЦЕНУ

(pdf, doc, docx, rtf, zip, rar, bmp, jpeg) не более 4-х файлов (макс. размер 15 Мб)


↑ вверх
Тема/ВариантМагниторезистивный эффект
ПредметАвтоматизация процессов
Тип работыреферат
Объем работы21
Дата поступления12.12.2012
800 ₽

Содержание

ВВЕДЕНИЕrn1.Магниторезистивный эффектrn1.1 Открытие и сущность эффектаrn1.2 Качественное объяснение эффектаrn1.3 Двумерный электронный газrn1.4 Отрицательное магнетосопротивлениеrn2. Магниторезисторыrn2.1 «Монолитные» магниторезисторыrn2.2 «Пленочные» магниторезисторыrn3 Применение устройств с магниторезисторамиrn3.1 Измерение магнитных полейrn3.2 Измерители перемещенийrn3.3 Магниторезистивные аналоговые вычислителиrn3.4 Магниторезистивный анализатор импульсовrn3.5 Смеситель, модулятор и демодуляторrn3.6 ГенераторыrnЗАКЛЮЧЕНИЕrnСПИСОК ИСПОЛЬЗОВАННЫХ ИСТОЧНИКОВ

Введение

Среди современных технических средств немало устройств и объектов, работа которых основана на взаимодействии с магнитным полем или в которых последнее используется в качестве управляющей среды. За минувшие двадцать лет опубликовано множество статей, патентов и авторских свидетельств на изобретения, а также монографий, посвященных теории преобразователей магнитного поля и принципам работы приборов, созданных на их основе. Многие усилительные приборы, например электронные лампы и транзисторы, работают по принципу регулируемого сопротивления, но с тем недостатком, что управляющий сигнал нельзя отделить электрически от сопротивления. У магниторезисторов это возможно, так как управление величиной сопротивления осуществляется магнитным полем. Особенно полезным является использование эффекта Гаусса в приборах типа умножителей, усилителей тока генераторов электрических колебаний, измерителей магнитного поля и неэлектрических величин. Развитие техники производства полупроводниковых материалов с высокой подвижностью носителей тока и заданной структурой (как, например, эвтектические сплавы антимонида индия и антимонида никеля) способствует созданию магниторезисторов с большим относительным изменением сопротивления в магнитном поле. При этом значительно может быть упрощена технология производства магниторезисторов. Малые размеры резисторов, простая форма и легкость изготовления позволяют использовать их при миниатюризации аппаратуры.

Заключение

Магниторезистивный эффект сегодня нашел широчайшее применение практически во всех электронных системах, так или иначе связанных с задачами магнитометрии, определения курса объекта по магнитному полю Земли, позиционирования и распознавания образа ферромагнитных объектов, измерения угла поворота и перемещения, а также бесконтактного измерения электрического тока.

Литература

1. П.С. Киреев. Физика полупроводников. M., “Мир”, 1978.rn2. М.Л. Бараночников. Микромагнитоэлектроника. М., “ДМК Пресс”, 2001.rn3. Г.И. Котенко. Магниторезисторы. “Энергия”, 1972.
Уточнение информации

+7 913 789-74-90
info@zauchka.ru
группа вконтакте