Содержание
1.ЗАДАНИЕ(109)
Разработать устройство, которое подсчитывает количество им-пульсов, длительность которых дана в двоичном коде, равна или пре-вышает заданное число N. Устройство должно преобразовывать дли-тельность импульса в двоичный код, который потом сравнивается с двоичным кодом заданного числа N. Если код, который соответствует длительности импульса, равен или превышает число N, положение счётчика, который подсчитывает количество импульсов, соответст-вующих условию, увеличивается на единицу. Для индикации количест-ва импульсов использовать устройства индикации.
Устройство начинает работу по команде "СТАРТ" и завершает ра-боту по команде "СТОП". Если за время работы устройства произошло переполнение счётчика импульсов, должен загораться светодиод узла индикации переполнения.
Число N=20 (Код=10100);
Тактовая частота импульсов - 50 кГц;
Максимальный потребляемый ток – 2А;
Потребляемая мощность не более 10 Вт;
Амплитуда выходных импульсов – 3,5 \ 5 В.
Введение
Для реализации данного устройства с необходимыми техническими характеристиками наиболее подходят маломощные быстродействую-щие цифровые ИМС серии КР1533 (SN74ALSxxxx);
Для данного устройства выбирается серия КР1533 так как она об-ладает большей функциональной насыщенностью, что упрощает схему.
Технические характеристики (общие) для данной серии
Микросхемы изготавливаются по усовершенствованной эпитак-сально-планарной технологии с диодами шоттки и окисной изоляцией, одно- и двухуровневой металлизированной разводкой на основе PtSi-TiW-AlSi.
Конструктивно микросхемы серии КР1533 выполнены в 14-,16-,20-, и 24- выводных стандартных пластмассовых корпусах типа 201.14-1, 238.16-1, 2140.20-8, 2142.24-2.
• Стандартные ТТЛ входные и выходные уровни;
• Напряжение питания 5,0 В 10;
• Мощность потребления на один логический элемент - 1 мВт;
• Задержка на один логический элемент - 4 нс;
• Тактовая частота до 70 МГц;
• Выходной ток нагрузки низкого уровня до 24 мА;
• Выходной ток нагрузки высокого уровня до –15 мА;
• Гарантированные статические и динамические характеристики при емкости нагрузки 50 пФ в диапазоне температур от –10оС до +70оС и напряжении питания 5 В 10;
• Устойчивость к статическому электричеству до 200 В.
Заключение
Литература
1. Волгов В.А. Детали и узлы радиоэлектронной аппаратуры. Москва «Энергия», 1977, - 655с. с ил.
2. Терещук Р.М. и др. Полупроводниковые приемноусилительные уст-ройства. Справочник. Киев: Наукова думка, 1989, - 799с.
3. Мальцев П.П. и др. Цифровые интегральные микросхемы. Справоч-ник. Москва «Радио и связь», 1994, - 240с.
4. Петровский И.И. Логические ИС. Справочник. 2т, Бином, 1993, - 496с.
5. Пухальский Г.И., Новосельцева Т.Я. Проектирование дискретных устройств на интегральных микросхемах: Справочник. –М.: Радио и связь, 1990. – 304с.
6. Романычева Э.Т., Иванова А.К. и др. Разработка и оформление кон-структорской документации радиоэлектронной аппаратуры: Спра-вочник. М.: Радио и связь, 1989. – 448с.
| 
